Українські рефератиучбові матеріали на українській мові

RefBaza.com.ua пропонує студентам та абітурієнтам найбільшу базу з рефератів! Також ви можете ділитися своїми рефератами для поповнення бази.

Дифференциальный підсилювач

Реферат: Дифференциальный підсилювач

Зміст:

1. Технічне завдання .3

2. Аналіз технічного завдання 6

3. Вибір матеріалів, розрахунок елементів 6

4. Вибір підкладки 8

5. Технологічний маршрут .8

6. Вибір корпусу ДВС 8

7. Оцінка надійності .9

8. Список літератури .11

Завдання

розробці гібридної інтегральної мікросхеми (ДВС) приватного застосування.

Дифференциальный підсилювач.

Дифференциальный підсилювач призначений посилення сигналів постійного струму чи ролі підсилювача сигналів низькою частоти.

Схема електрична принципова:

Дивіться наступного сторінці (малюнок 1).

Малюнок 1 : Схема електрична принципова

Технічні вимоги:

Микросхема має відповідати загальним технічним вимогам, і задовольняти наступним умовам:

– підвищена гранична температура +85°С;

– інтервал робочих температур -20° С .+80°С;

– час 8000 годин;

– вібрація із частотою до 100 гц, мінімальне прискорення 4G;

– лінійне прискорення до 15G.

Вихідні дані для проектування:

1. Технологічний процес розробити для виробництва з обсягом випуску – 18000 штук.

2. Конструкцію ДВС виконати відповідно до принципової електричної схемою із застосуванням тонкоплёночной технології щодо одного корпусі.

3. Значення параметрів:

Позиційне позначення:

Найменування:

Кількість:

Примітка:

R1,R3,R5

резистор 4КОм±10%

3

Р=3,4мВт

R2

резистор 1,8КОм±10%

1

Р2=5,8мВт

R4

резистор 1,7КОм±10%

1

Р4=2,2мВт

R6

резистор 5,7ком±10%

1

Р6=2,6мВт

VT1,VT4

транзистор КТ318В

2

Р=8мВт

VT2

транзистор КТ369А

1

Р=14мВт

VT3

транзистор КТ354Б

1

Р=7мВт

Напруга джерела харчування: 6,3 В±10%.

Опір навантаження щонайменше: 20 КОм.

1. Аналіз технічного завдання.

Гибридные ІМС (ДВС) – це інтегральні схеми, у яких застосовуються плёночные пасивні елементи і начіпні елементи (резисторы, конденсатори, діоди, оптроны, транзистори), звані компонентами ДВС. Електричні зв'язок між елементами і компонентами здійснюються з допомогою плёночного чи дротяного монтажу. Реалізація функціональних елементів як ДВС економічно доцільна під час випуску малими серіями спеціалізованих обчислювальних пристроїв і той апаратури.

Високих вимог до точності елементів в ТЗ немає.

Умови експлуатації вироби нормальні.

2. Вибір матеріалів, розрахунок елементів, вибір навісних компонентів.

Як матеріалу підкладки виберемо ситалл СТ50-1.

Транзисторы виберемо як начіпні компоненти.

VT1,VT4-КТ318В,

VT2-КТ369А,

VT3-КТ354Б.

По мощностным параметрами транзистори задовольняють ТЗ. По габаритным розмірам вони також підходять від використання до ДІЗ.

Рассчитаем плёночные резисторы.

Определим оптимальне сопротивлениеквадрата резистивной плівки з співвідношення:

rопт=[(


Схожі реферати

Статистика

[1] 2